Юбилею Нобелевского лауреата посвящен Международный симпозиум «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ: Физика. Технология. Применение», который открывается завтра в исторических залах Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Именно в физике полупроводников, полупроводниковой и квантовой электронике и ряде направлений технической физики Ж.И. Алфёров добился выдающихся успехов. С самого начала развития этих направлений в 1950-ые годы ученый принимал активное участие в создании и внедрении в производство первых отечественных транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей. В 1960-ые годы инициировал широкомасштабные исследования полупроводниковых гетероструктур, на основе которых работают современные компьютеры, мобильные телефонные аппараты, системы космической связи. Эти работы принесли автору признание в нашей стране и за рубежом.

В рамках симпозиума пройдет совместное заседание Президиума РАН (Москва) и Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, выступят с докладами известные российские и иностранные учёные физики, а также лауреаты конкурса молодых ученых. Состоится награждение стипендиатов Алфёровского фонда, а стипендиаты, в свою очередь, поздравят юбиляра.